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Reaction & reactor engineering Laboratory

現代社会の技術的諸課題を解決するために、半導体結晶材料の研究に取り組んでいます。

We are studying semiconductor materials and their production processes, in order to solve current various problems.

ブラックダイヤモンド

Research(概要)

反応装置工学ラボラトリでは、種々の素材と材料及びそれらの生産技術を反応工学の視点から研究・開発することに取り組みます。特に、固体の表面で生じる化学過程の解析・設計・活用・最適化などを目指すと共に、それに関わる装置の開発を行っています。主な対象としている物質は、半導体シリコン(Si)結晶と炭化珪素(SiC)結晶です。生産技術としては、化学気相堆積(CVD)法、リアクタークリーニング、エッチング、洗浄、表面汚染などです。これらに関する研究開発、技術指導・相談、が可能です。

その他に、以下の内容の​セミナー(公開、社内)が可能です。

(1)半導体ウエハ洗浄技術、(2)CVD技術(成膜とクリーニング)、(3)移動現象の基礎、(4)反応工学

代表者 羽深 等 (横浜国立大学大学院工学研究院 名誉教授)

詳細につきましては、以下(Read More)をご覧ください。

We are studying reaction engineering for the research and development of semiconductor silicon, silicon carbide, and their production processes.

Our targets are the research, development and consulting for chemical vapor deposition (CVD), reactor cleaning, dry etching, wet cleaning and surface contamination.  

In addition, possible seminars (open or in-company) are (1) semiconductor cleaning, (2) CVD (deposition and reactor cleaning), (3) Introduction to Transport phenomena and (4) Reaction engineering. 

See details below (Read More).

Hitoshi Habuka, Dr., Professor Emeritus Yokohama National University

News & Events

2024年7月5日

水の動きで読み解く半導体洗浄のポイント【LIVE配信】【アーカイブ配信】
2024年7月5日(金)10時半~16時半
講師紹介割引があります。お問い合わせ下さい。

2024年5月30日

半導体洗浄の基礎と洗浄機内の流れ・反応および洗浄法の評価方法
2024年5月30日(木)10:30~16:30 オンライン

詳細URL(お待ち下さい)

2024年4月17日

【開催決定】オンラインセミナー「薄膜形成における化学気相堆積(CVD)法と原子層堆積(ALD)法の基礎~化学反応の観察・測定例からプロセスの最適化へ向けて~」4月17日(水)10時半~16時半

​お問い合わせはこちらに(Contact) →

Representative Papers
(代表的な論文)

Boron-Silicon Film Chemical Vapor Deposition Using Boron Trichloride, Dichlorosilane and Monomethylsilane Gases

2021

Advantages of a Slim Vertical Gas Channel at High SiHCl3 Concentrations for Atmospheric Pressure Silicon Epitaxial Growth

2018

Parallel Langmuir Processes for Silicon Epitaxial Growth in a SiHCl3-SiHx-H2 System

2017

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